Partnerskapsprogram

Siden Waler Fuhs først foreslo HJT-strukturen i 1974, som kombinerte amorft silisium med krystallinsk silisium, har utviklingen av HJT-celler gått jevnt og trutt fremover. I 1989 utviklet Sanyo Group HJT-solceller, søkte patent og oppnådde en virkningsgrad på 15 % på det tidspunktet. I 1997 registrerte Sanyo varemerket HJT og begynte å kommersialisere solcellemoduler, noe som markerte et viktig skritt i HJTs tidlige utvikling.

Etter 2010, da Panasonics HJT-patent utløp, begynte andre produsenter å videreutvikle denne teknologien, noe som førte HJT-solcellepaneler inn i industriell produksjon og kontinuerlig forbedret konverteringseffektiviteten. I 2017 gikk HJT-solcellepaneler offisielt inn i den kommersielle fasen, noe som fikk flere selskaper til å slutte seg til bransjen og starte småskalaproduksjon. Med et økende antall produksjonslinjer på over 100 MW ser fremtiden for HJT-teknologien svært lovende ut.

I HJT-modulen er amorft silisium avsatt på et N-type silisiumskivesubstrat for å skape en heteroovergang som fungerer som et passiviseringslag, noe som øker spenningen i åpen krets og den totale effektiviteten. Cellestrukturen omfatter også et ytre lag med et gjennomsiktig, ledende oksidbelegg (TCO). Produksjonsprosessen benytter lavtemperaturteknikker, med sølvpastaprosesseringstemperaturer som vanligvis ligger på rundt 200 °C. Dette gjør det mulig å bruke tynnere silisiumskiver av N-typen, noe som gir betydelige muligheter for fremtidige kostnadsreduksjoner.

Innen elektronikk er det et prinsipp: Færre loddeskjøter gir lavere feilrate. IBC-celler eliminerer loddeskjøter på forsiden og bruker ledende lim på baksiden, noe som reduserer loddeskjøtene med over 80 %. Denne utformingen minimerer lodderelaterte skader og reduserer risikoen for dårlig lodding betydelig, noe som øker påliteligheten.